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151.
本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
152.
2,2'-联吡啶(bipy)、邻氨基苯基苯甲酸(HL)与稀土离子(RE=Tb,Eu,Sm,Nd)合成了固体稀土配合物.用元素分析、摩尔电导、紫外光谱、红外光谱、差热-热重分析和荧光光谱,对配合物的组成进行了确定和表征,并对TbL3和TbL3·bipy·3H2O的荧光性能进行了测试和讨论.TbL3·bipy·3H2O的荧光强度比TbL3的荧光强度强. 相似文献
153.
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)场发射平面显示器(Field Emission Display,FED)与其他显示器比较显示了其独特优点,被认为是未来理想的平面显示器之一。碳纳米管阴极作为器件的核心部分,其性能的好坏直接影响显示器的性能。针对30~60英寸(76.2~152.4cm)大屏幕显示器所用的厚膜工艺,即采用丝网印刷法制备了碳纳米管阴极阵列,研究了化学气相沉积法在不同温度下生长的CNTs的场发射电流-电压特性,找到了适合FED用碳纳米管的最佳生长温度。结果表明生长温度越高(750℃),CNTs场发射性能越好。并用荧光粉阳极测试这些CNTs的场发射发光显示效果,验证了上述结论。 相似文献
154.
155.
Assisted Cloning and Orthogonal Complementing of an Arbitrary Unknown Two-Qubit Entangled State 总被引:1,自引:0,他引:1
Based on A.K. Pati‘s original idea [Phys. Rev. A 61 (2000) 022308] on single-qubit-state-assisted clone, very recently Zhan has proposed two assisted quantum cloning protocols of a special class of unknown two-qubit entangled states [Phys. Lett. A 336 (2005) 317]. In this paper we further generalize Zhan‘s protocols such that an arbitrary unknown two-qubit entangled state can be treated. 相似文献
156.
本文主要研究的是相函数为齐次椭圆多项式的自由高阶Schrodinger方程.通过相函数等值面的几何性质,得到了解算子的Strichartz加权估计和极大算子加权估计. 相似文献
157.
158.
159.
160.